My國(guó)UVLED技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)度
文章出處:未知責(zé)任編輯:三昆科技人氣:發(fā)表時(shí)間:2021-07-12 09:34
針對(duì)目前UVLED技術(shù)全球整體的發(fā)展情況,小編就我國(guó)LED與目前國(guó)外UV LED(UVLED)的發(fā)展情況做一個(gè)簡(jiǎn)單的對(duì)比分析。 跟大家分享一下:
近期,我國(guó)的UV LED(uvled))技術(shù)應(yīng)用發(fā)展比較快。 目前,深紫外LED(UVLED)主要應(yīng)用于生物醫(yī)藥、防偽識(shí)別、凈化(水、空氣等)、計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和軍事等領(lǐng)域。 并且隨著技術(shù)的發(fā)展,會(huì)不斷出現(xiàn)新的應(yīng)用來(lái)取代原有的技術(shù)和產(chǎn)品。UV LED具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景,例如UVLED燈光療儀是未來(lái)非常流行的醫(yī)療器械,但目前的技術(shù)還在進(jìn)步中。 長(zhǎng)。
面對(duì)國(guó)外UVLED相關(guān)技術(shù)的發(fā)展,國(guó)外仍處于領(lǐng)先地位。 例如,日本憑借在藍(lán)光LED領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢(shì),在UVLED方面方面的進(jìn)步舉世矚目。 尤其是日亞化在365nm UV-LED的研究上遙遙領(lǐng)先; 美國(guó)在深紫外研究方面處于領(lǐng)先地位,但近年來(lái)已被日本超越; 臺(tái)灣和韓國(guó)起步較晚,在這方面取得了一些進(jìn)展; 近年來(lái),國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域發(fā)展迅速。 與藍(lán)光不同,UV LED目前處于技術(shù)發(fā)展期,專利和知識(shí)產(chǎn)權(quán)的限制較少,有利于占領(lǐng)和引領(lǐng)未來(lái)的技術(shù)制高點(diǎn)。 國(guó)內(nèi)在UV LED設(shè)備、材料和器件方面已經(jīng)有了一定的積累,目前正在積極向應(yīng)用模塊方向發(fā)展。UVLED在形成規(guī)模產(chǎn)業(yè)之前,需要國(guó)家的引導(dǎo)和支持,才能在核心技術(shù)上搶先一步。
未來(lái)的主要研究目標(biāo)是研究高質(zhì)量的深紫外材料外延生長(zhǎng)技術(shù); 高Al含量AlGaN材料生長(zhǎng)技術(shù)和摻雜技術(shù); 深紫外LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);300nm以下波長(zhǎng)LED器件芯片制作工藝和封裝技術(shù);UV源模塊開(kāi)發(fā) 和在醫(yī)療、滅菌和凈化應(yīng)用中的應(yīng)用。
近期,我國(guó)的UV LED(uvled))技術(shù)應(yīng)用發(fā)展比較快。 目前,深紫外LED(UVLED)主要應(yīng)用于生物醫(yī)藥、防偽識(shí)別、凈化(水、空氣等)、計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和軍事等領(lǐng)域。 并且隨著技術(shù)的發(fā)展,會(huì)不斷出現(xiàn)新的應(yīng)用來(lái)取代原有的技術(shù)和產(chǎn)品。UV LED具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景,例如UVLED燈光療儀是未來(lái)非常流行的醫(yī)療器械,但目前的技術(shù)還在進(jìn)步中。 長(zhǎng)。
面對(duì)國(guó)外UVLED相關(guān)技術(shù)的發(fā)展,國(guó)外仍處于領(lǐng)先地位。 例如,日本憑借在藍(lán)光LED領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢(shì),在UVLED方面方面的進(jìn)步舉世矚目。 尤其是日亞化在365nm UV-LED的研究上遙遙領(lǐng)先; 美國(guó)在深紫外研究方面處于領(lǐng)先地位,但近年來(lái)已被日本超越; 臺(tái)灣和韓國(guó)起步較晚,在這方面取得了一些進(jìn)展; 近年來(lái),國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域發(fā)展迅速。 與藍(lán)光不同,UV LED目前處于技術(shù)發(fā)展期,專利和知識(shí)產(chǎn)權(quán)的限制較少,有利于占領(lǐng)和引領(lǐng)未來(lái)的技術(shù)制高點(diǎn)。 國(guó)內(nèi)在UV LED設(shè)備、材料和器件方面已經(jīng)有了一定的積累,目前正在積極向應(yīng)用模塊方向發(fā)展。UVLED在形成規(guī)模產(chǎn)業(yè)之前,需要國(guó)家的引導(dǎo)和支持,才能在核心技術(shù)上搶先一步。
未來(lái)的主要研究目標(biāo)是研究高質(zhì)量的深紫外材料外延生長(zhǎng)技術(shù); 高Al含量AlGaN材料生長(zhǎng)技術(shù)和摻雜技術(shù); 深紫外LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);300nm以下波長(zhǎng)LED器件芯片制作工藝和封裝技術(shù);UV源模塊開(kāi)發(fā) 和在醫(yī)療、滅菌和凈化應(yīng)用中的應(yīng)用。
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